随着外部环境的不断变化，功率半导体国产替代再受热议。
过去，由于功率半导体在中国起步较晚，在核心技术上较国外有较大差距，在关键技术上国外设置壁垒，在关键制造设备及原材料上，同样依赖进口。也因此，多年来，国产功率半导体器件几乎处于全产业链落后的被动局面，导致市场供需严重不匹配。
在过去的多年发展中，突破技术难关，提升产品质量，实现进口替代，一直是国产功率半导体行业发展方向。
早在1956年，在我国“十二年”科学技术发展远景规划中，半导体科学技术即被列为当时国家新技术四大紧急措施之一，此后的半个世纪中，在西方国家严格的技术封锁情况下，中国半导体产业在诸多方面与国外仍有较大差距。
在一大批舍身忘我的半导体人和有担当有责任的民族企业的努力下，从无到有，建立了相对完整的半导体工业体系，也是在他们不折不挠地奋斗下，国产功率半导体与国际一流技术水平差距在缩小，已经逐渐打破国外大厂的垄断。
成立于1965年的华球体育（以下简称“华微电子”）正是这样一家民族企业，经过半个多世纪的耕耘和积累，华微电子培育了一批掌握功率半导体核心技术的专业技术人才，具备了从二三级管、可控硅、MOSFET到IGBT和IPM模块的全系列功率器件产品，在大功率产品上完全可以替代进口品牌，部分产品性能已经达到国际先进水平。为打破国际品牌在功率半导体领域的垄断做出了贡献。
赛道上的隐忧
功率半导体器件在电力电子行业有着非常广泛的应用，是电子产品的基础元器件之一，并且随着技术快速发展，应用领域从传统的工业领域正快速扩展至新能源、大数据、物联网、智能电网、自动机器人、轨道交通等新兴市场。“可以说有用电的地方就离不开功率半导体。”
但由于功率半导体在国内起步较晚，在核心技术上较国外有较大差距，在关键技术上国外设置壁垒，在关键制造设备及原材料上，同样依赖进口。华微电子认为，这些因素是导致国内半导体发展落后的原因。因此，在过去的发展中，国产功率半导体器件几乎处于全产业链落后的被动局面，导致市场供需严重不匹配。
从供给端来看，全球功率半导体的主要产地集中在欧美日，厂家拥有先进的技术和良好的生产条件，是中大功率IGBT和中高压MOSFET的主要制造商，占据全球功率半导体70%的市场份额。而中国厂商以二极管、中低压MOS-FET、中小功率IGBT、晶闸管等中低端功率半导体产品为主，占据全球10%的市场份额。
从需求端来看，中国是全球最大的功率半导体消费国。中国功率半导体市场空间占全球比例为49%，居第一位。欧洲居第二位，占比18%，美国占比8%，日本占比6%，其他地区占比19%。
事实上，受资金及技术水平等方面的限制，绝大多数厂商只在二极管、三极管、晶闸管、平面MOS-FET器件等相对低端器件的生产工艺方面较为成熟。对于IGBT等高端功率半导体器件，国内只有极少数厂商拥有生产和封装能力，国内销售的高端功率半导体器件产品仍然被美国、欧洲、日本等厂商所主导，在高端功率半导体领域尚未形成规模效应与集群效应，国际厂商仍占据我国高附加值功率半导体市场的绝对优势地位。
通往崛起之路
国产功率半导体第一次受国家层面的重视在1956年，这一年，党的八大提出了以经济建设为主的发展路线，提出“向科学进军”的号召，并结合当时世界科技发展的趋势，制定了为期12年的《1956—1967年科学技术发展远景规划》，在该规划中，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，并把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。
在“向科学进军”的号召下，中国的知识分子、技术人员在外界封锁的环境下，在海外回国的一批半导体学者带领下，凭借知识和实验室发展到实验性工厂和生产性工厂，开始建立起自己的半导体行业。
在这样的背景下，1965年9月，华微电子的前身吉林市半导体厂应运而生，1965年12月24日，经过八天九夜连续奋战，28位创业者在职工浴池里铺成的生产线上，试制成功第一批硅整流二极管，填补了吉林省晶体管生产的空白。被称作“澡堂子里闹革命，鸡窝里飞出金凤凰”。
在“六五”“七五”“八五”期间，华微电子先后实施了三期技术改造，从美国、日本、瑞士等七国先后引进了具20世纪90年代初国际先进水平的关键工艺装备，是当时国际上制造高反压大功率晶体管芯片普遍采用的工艺设备。
现如今，华微电子产品已经覆盖功率半导体全部产品类别，已经形成IGBT、MOSFET、SBD、FRD、SCR、BJT、IPM、LED IC等八大系列产品。其中IGBT产品采用Trench-FS国际主流结构，覆盖360V～1350V，最高电流达到800A，应用在新能源逆变控制、变频家电、IH等领域；MOSFET具备高压平面、超结MOS、CCT等工艺平台；SBD有多种势垒结构，具备平面、Trench产品技术平台；SCR电压为400V～1600V，涵盖一、三、四象限可控硅，具备单台面、双台面和平面产品技术平台；其他产品也各具特点，皆为行业内的高品质产品。
东北“硕果”
记者了解到，早在20世纪60年代初，国家就在东北三省布局建设了以辽晶、哈晶为代表的十多家半导体厂，但时至今日，只有华微电子生存下来，并逐步发展壮大，成为我国东北地区硕果仅存的整建制半导体企业。
华微电子认为，产品创新、技术进步是发展的动力。华微电子一直重视研发和技术人才的培养，是国家级企业技术中心，国家创新型企业、国家博士后科研工作站，公司每年对试验室进行可持续性投入，以提升自主创新能力建设。
2013年以来，华微电子的研发支出不断上升，研发支出总额占营业收入的6%左右，研发人员在600人以上，多的时候达到了754人，研发人员数量占比始终保持在30%以上。
据相关人士介绍，华微电子技术中心建有专门的实验室，EDA器件工艺仿真实验室，应用实验室、失效分析实验室、可靠性实验室、大功率实验室、计量实验室。其中，失效分析实验室和计量实验室获得CNAS认证。
近年来，华微电子通过积极引进先进技术与标准，广泛开展产学研等技术交流与合作，建立了技术研发与技术标准相结合的管理机制，注重先进技术的运用、消化和吸收，并逐步在FRD、IGBT、SBD VDMOS等产品开发中推广运用，公司的技术实力也得到了显著提高，其中1350VTrench IGBT项目，成功攻克深槽刻蚀与填充、高均匀性多晶回刻与刻蚀工艺、Ti/Tin淀积与RTP退火工艺等难题，Trench IGBT工艺平台的开发成功，使得华微电子在功率器件研制开发方面更为全面，将进一步促进国内新型电力电子产业的发展，提高节能减排关键部件的国产化水平及权重。
此外，在新能源汽车双面散热模块，华微电子实现功率模块双面散热超薄结构，缩小模块体积，提高模块功率密度和效率，降低功率损耗，适应未来电控系统轻量化要求，产品技术将达到同等国际标杆水平。同时，公司开发高压3300V～4500V的IGBT和FRD产品，实现超高压大功率器件的国产化。
2006年7月，华微电子被全国博士后管委会办公室确认为新设站。创建中国博士后科研工作站后，华微电子引进博士后专家，研发多种衬底结构肖特基产品，在光伏、电源等领域推广；创建仿真试验室，实现结构设计仿真、工艺仿真，提高研发效率。
“公司目前共有专利百余项，广泛应用于各系列产品设计开发及生产中，产品的部分性能已经优于国外公司的同类产品，达到了国内领先水平。”华微电子相关人士表示。
《中国经营报》记者王登海北京报道
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