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一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件 专利

2011/11/30 | 来自：

2008年2月6日获得 一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件 专利   专利号：ZL  2007  2 0067356.2

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